《經濟通通訊社３０日專訊》中國外交部昨證實，一名居於中國的南韓公民被有關部門以涉
嫌間諜罪拘捕。有韓媒透露，該名被捕的南韓公民為５０多歲譯音姓安的男子，曾在南韓半導體
業界擔任離子注入技術員近２０年，到２０１６年被「長鑫存儲技術有限公司」招攬入職，移居
安徽合肥，其後亦曾轉到另外２間中國半導體企業工作，至去年１２月被合肥國安部門拘捕。
報道指，該名男子懷疑涉嫌在長鑫存儲任職期間向南韓洩漏半導體資訊。檢察部門今年５月
接手案件，對其正式拘留和起訴。報道引述該名男子當年的同事指，其職級權限並不能獲取公司
的核心技術或資訊。報道並提到，案件可能最快本月開審。
今年８月曾有外電報道指，長鑫存儲是美國政府最新封鎖目標，美國可能會通過「外國直接
產品規則」（ＦＤＰＲ），阻止美國及其他國家的企業向中國出售高帶寬內存（ＨＢＭ）晶片，
還計劃降低先進ＤＲＡＭ晶片適用管制的門檻。長鑫存儲目前有能力生產ＨＢＭ２，並於
２０１６年首次將其商業化。（ｓｌ）
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