25,240.45

-392.76

(-1.53%)

25,128

-363

(-1.42%)

低水112

8,498.90

-97.69

(-1.14%)

4,981.32

-75.65

(-1.50%)

2,063.26億

4,054.50

-29.47

(-0.722%)

4,901.13

-37.68

(-0.763%)

15,642.57

-62.14

(-0.396%)

2,885.43

-39.65

(-1.36%)

64,151.9900

+9.2400

(0.014%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1587

澳元最佳客戶買入價

5.5947

歐元最佳客戶買入價

9.1125

英鎊最佳客戶買入價

10.5363

日圓最佳客戶買入價

4.9120

／

／

AiRWA Inc.

9.050
-0.780
(-7.935%)

最高
9.900

最低
9.010

成交股數
2.16萬

成交金額
13.51萬

前收市
9.830

開市
9.800

盤後

9.730
0.680
(+7.514%)

最高
9.740

最低
9.010

成交股數
381.00

成交金額
460.09

買入
8.450

賣出
10.500

市值
1.04千萬

貨幣
USD

交易宗數
1197

每宗成交金額
113

波幅
21.529%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
0.04/--

周息率/預期
--/--

10日股價變動
-19.196%

風險率
41,298.649

振幅率
14.189%

啤打系數
-4.137

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 03/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)