24,792.94
-161.53
(-0.65%)
24,791
-109
(-0.44%)
低水2
8,240.80
-33.98
(-0.41%)
4,323.18
-7.31
(-0.17%)
1,860.22億
3,888.11
-46.29
(-1.177%)
4,510.16
-38.23
(-0.841%)
13,471.26
-146.41
(-1.075%)
2,669.03
-23.17
(-0.86%)
77,381.5800
+812.8500
(1.062%)
Yueda Digital Holding
  • 0.885
  • +0.011
  • (+1.282%)
  • 最高
  • 0.885
  • 最低
  • 0.822
  • 成交股數
  • 1.23萬
  • 成交金額
  • 8,353.92
  • 前收市
  • 0.874
  • 開市
  • 0.885
  • 盤後
  • 0.850
  • -0.035
  • (-3.899%)
  • 最高
  • 0.850
  • 最低
  • 0.850
  • 成交股數
  • 212.00
  • 成交金額
  • 10.80
  • 買入
  • 0.850
  • 賣出
  • 0.964
  • 市值
  • 4.89百萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 64
  • 每宗成交金額
  • 131
  • 波幅
  • 9.670%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/--
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -10.815%
  • 風險率
  • 108.757
  • 振幅率
  • 5.244%
  • 啤打系數
  • -0.334

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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