25,633.21

-405.11

(-1.56%)

25,329

-162

(-0.64%)

低水304

8,596.59

-166.38

(-1.90%)

5,056.97

-142.31

(-2.74%)

3,229.21億

4,083.97

+8.87

(+0.218%)

4,938.81

+24.25

(+0.493%)

15,704.71

+113.58

(+0.728%)

2,925.08

+17.59

(+0.60%)

66,053.9900

-706.8500

(-1.059%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1594

澳元最佳客戶買入價

5.6060

歐元最佳客戶買入價

9.1179

英鎊最佳客戶買入價

10.5459

日圓最佳客戶買入價

4.9130

／

／

威瑪克

372.880
-1.540
(-0.411%)

最高
380.045

最低
369.460

成交股數
1.77萬

成交金額
3.78百萬

前收市
374.420

開市
374.160

買入
372.150

賣出
374.820

市值
13.40億

貨幣
USD

交易宗數
1615

每宗成交金額
2,339

波幅
6.160%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
33.76/71.24

周息率/預期
3.71%/1.07%

10日股價變動
2.365%

風險率
38.167

振幅率
2.757%

啤打系數
0.336

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 03/06/2026 14:35:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)