24,897.62
+146.84
(+0.59%)
24,893
+157
(+0.63%)
低水5
8,286.99
+61.59
(+0.75%)
4,402.62
-2.88
(-0.07%)
1,056.78億
3,933.37
+21.50
(+0.550%)
4,526.30
+18.91
(+0.420%)
13,718.23
+77.36
(+0.567%)
2,656.69
+7.93
(+0.30%)
81,497.9900
+319.9800
(0.394%)
Twin Vee PowerCats Co.
  • 8.580
  • -0.175
  • (-1.999%)
  • 最高
  • 8.720
  • 最低
  • 8.440
  • 成交股數
  • 46.12萬
  • 成交金額
  • 3.11百萬
  • 前收市
  • 8.755
  • 開市
  • 8.720
  • 盤後
  • 10.700
  • 2.120
  • (+24.709%)
  • 最高
  • 14.000
  • 最低
  • 8.550
  • 成交股數
  • 45.53萬
  • 成交金額
  • 3.07百萬
  • 買入
  • 10.100
  • 賣出
  • 10.700
  • 市值
  • 5.12百萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 172
  • 每宗成交金額
  • 18,076
  • 波幅
  • 12.114%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/--
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -13.333%
  • 風險率
  • 33.305
  • 振幅率
  • 7.612%
  • 啤打系數
  • 0.151

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 18/09/2026 19:59:47
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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