24,805.63
-148.84
(-0.60%)
24,793
-6
(-0.02%)
低水13
8,246.33
-28.45
(-0.34%)
4,320.57
-9.92
(-0.23%)
2,284.31億
3,888.11
-46.29
(-1.177%)
4,510.16
-38.23
(-0.841%)
13,471.26
-146.41
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2,669.03
-23.17
(-0.86%)
77,093.2400
+524.5100
(0.685%)
Metals Royalty Co. Inc.
  • 5.650
  • +0.240
  • (+4.436%)
  • 最高
  • 6.090
  • 最低
  • 5.450
  • 成交股數
  • 7.11萬
  • 成交金額
  • 29.91萬
  • 前收市
  • 5.410
  • 開市
  • 5.450
  • 盤後
  • 5.500
  • -0.150
  • (-2.655%)
  • 最高
  • 5.650
  • 最低
  • 5.500
  • 成交股數
  • 8.00
  • 成交金額
  • 49.84
  • 買入
  • 5.500
  • 賣出
  • 6.050
  • 市值
  • 3.65億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 648
  • 每宗成交金額
  • 462
  • 波幅
  • 12.519%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/-90.17
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -11.164%
  • 風險率
  • 3.801
  • 振幅率
  • 5.227%
  • 啤打系數
  • --

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 11/09/2026 18:34:00
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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