24,684.75
-269.72
(-1.08%)
24,669
-231
(-0.93%)
低水16
8,215.96
-58.82
(-0.71%)
4,271.42
-59.07
(-1.36%)
1,003.72億
3,866.52
-67.88
(-1.725%)
4,478.37
-70.02
(-1.539%)
13,300.26
-317.41
(-2.331%)
2,645.70
-46.50
(-1.73%)
76,747.7900
+179.0600
(0.234%)
Pampa Energia SA
  • 88.450
  • +2.540
  • (+2.957%)
  • 最高
  • 88.673
  • 最低
  • 85.380
  • 成交股數
  • 33.13萬
  • 成交金額
  • 1.50千萬
  • 前收市
  • 85.910
  • 開市
  • 86.160
  • 盤後
  • 88.000
  • -0.450
  • (-0.509%)
  • 最高
  • 88.450
  • 最低
  • 86.740
  • 成交股數
  • 9,014.00
  • 成交金額
  • 8.64萬
  • 買入
  • 87.820
  • 賣出
  • 96.350
  • 市值
  • 46.05億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 3244
  • 每宗成交金額
  • 4,639
  • 波幅
  • 4.833%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 7.81/45.42
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 9.944%
  • 風險率
  • 8.355
  • 振幅率
  • 1.798%
  • 啤打系數
  • 0.710

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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