24,793.04
-161.43
(-0.65%)
24,791
-109
(-0.44%)
低水2
8,240.40
-34.38
(-0.42%)
4,323.05
-7.44
(-0.17%)
1,860.76億
3,888.11
-46.29
(-1.177%)
4,510.16
-38.23
(-0.841%)
13,471.26
-146.41
(-1.075%)
2,669.03
-23.17
(-0.86%)
77,381.5800
+812.8500
(1.062%)
歡迎回來

網頁已經閒置了一段時間,為確保不會錯過最新的內容。請重新載入頁面。立即重新載入


NewcelX Ltd.
  • 3.380
  • +0.110
  • (+3.364%)
  • 最高
  • 3.500
  • 最低
  • 3.250
  • 成交股數
  • 5,720.00
  • 成交金額
  • 1.91萬
  • 前收市
  • 3.270
  • 開市
  • 3.290
  • 盤後
  • 3.260
  • -0.120
  • (-3.550%)
  • 最高
  • 3.260
  • 最低
  • 3.260
  • 成交股數
  • 2.00
  • 成交金額
  • 9.20
  • 買入
  • 2.860
  • 賣出
  • 4.670
  • 市值
  • 1.88千萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 69
  • 每宗成交金額
  • 277
  • 波幅
  • 8.836%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/1.09
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 5.956%
  • 風險率
  • 5.605
  • 振幅率
  • 4.334%
  • 啤打系數
  • 2.888

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

海鮮優惠
最新
人氣
etnet TV
財經新聞
評論
專題透視
生活
DIVA
健康好人生
香港好去處