25,253.40

-379.81

(-1.48%)

25,158

+67

(+0.27%)

低水95

8,501.91

-94.68

(-1.10%)

4,975.36

-81.61

(-1.61%)

2,702.30億

4,057.78

-26.19

(-0.641%)

4,904.75

-34.06

(-0.690%)

15,661.57

-43.14

(-0.275%)

2,887.66

-37.42

(-1.28%)

63,436.0000

-706.7500

(-1.102%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1582

澳元最佳客戶買入價

5.5994

歐元最佳客戶買入價

9.1179

英鎊最佳客戶買入價

10.5425

日圓最佳客戶買入價

4.9130

／

／

La-Z-Boy

36.450
+0.180
(+0.496%)

最高
37.040

最低
36.301

成交股數
32.89萬

成交金額
4.99百萬

前收市
36.270

開市
36.970

盤後

36.450
0.000
(0.000%)

最高
36.450

最低
36.450

成交股數
8.89萬

成交金額
19.43萬

買入
29.400

賣出
37.160

市值
14.84億

貨幣
USD

交易宗數
6332

每宗成交金額
788

波幅
6.821%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
18.14/15.89

周息率/預期
3.21%/2.66%

10日股價變動
-0.546%

風險率
2.656

振幅率
1.741%

啤打系數
1.421

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 04/06/2026 19:14:15
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)