24,680.57
-273.90
(-1.10%)
24,677
-223
(-0.90%)
低水4
8,214.93
-59.85
(-0.72%)
4,271.54
-58.95
(-1.36%)
1,000.72億
3,866.11
-68.29
(-1.736%)
4,477.95
-70.44
(-1.549%)
13,303.56
-314.11
(-2.307%)
2,646.59
-45.61
(-1.69%)
76,747.7900
+179.0600
(0.234%)
Kayne Anderson BDC Inc.
  • 12.960
  • -0.110
  • (-0.842%)
  • 最高
  • 13.064
  • 最低
  • 12.900
  • 成交股數
  • 31.10萬
  • 成交金額
  • 2.02百萬
  • 前收市
  • 13.070
  • 開市
  • 13.050
  • 盤後
  • 13.090
  • 0.130
  • (+1.003%)
  • 最高
  • 13.090
  • 最低
  • 12.960
  • 成交股數
  • 1.01萬
  • 成交金額
  • 7,120.70
  • 買入
  • 12.750
  • 賣出
  • 14.270
  • 市值
  • 8.63億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 2215
  • 每宗成交金額
  • 914
  • 波幅
  • 2.837%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 11.99/8.43
  • 周息率/預期
  • 15.30%/12.13%
  • 10日股價變動
  • -3.284%
  • 風險率
  • 0.585
  • 振幅率
  • 1.678%
  • 啤打系數
  • --

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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