25,730.60
+219.50
(+0.86%)
25,751
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高水20
8,548.55
+103.18
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4,654.26
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242.47億
3,896.66
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13,782.39
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(+0.22%)
78,909.5600
+370.4300
(0.472%)
海格投資
  • 17.590
  • +0.090
  • (+0.514%)
  • 最高
  • 17.640
  • 最低
  • 17.420
  • 成交股數
  • 1.50百萬
  • 成交金額
  • 1.33千萬
  • 前收市
  • 17.500
  • 開市
  • 17.480
  • 盤後
  • 17.551
  • -0.039
  • (-0.221%)
  • 最高
  • 17.650
  • 最低
  • 17.551
  • 成交股數
  • 14.33萬
  • 成交金額
  • 7.33萬
  • 買入
  • 15.530
  • 賣出
  • 19.000
  • 市值
  • 32.75億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 6476
  • 每宗成交金額
  • 2,050
  • 波幅
  • 5.084%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 8.66/8.88
  • 周息率/預期
  • 10.74%/10.97%
  • 10日股價變動
  • 5.329%
  • 風險率
  • 1.578
  • 振幅率
  • 2.395%
  • 啤打系數
  • 0.496

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 25/08/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

20/08/2026 23:44

大行報告 | 里昂:記憶體股回調屬買入機會,看好三星、SK海力士及美光

  《經濟通通訊社20日專訊》里昂發表行業報告指,記憶體板塊近期受債息上升、地緣政治及AI股估值調整等宏觀因素拖累,但基本面未見根本轉弱,認為近期股價回調反而提供買入機會,首選三星電子、SK海力士(US.SKHY)及美光(US.MU)

 

  里昂預計,AI資本開支持續增加,將帶動HBM及數據中心記憶體需求。全球DRAM晶圓產能料由2025年底每月195萬片,增至2028年290萬片及2030年390萬片,但新產能投產及良率提升需時,未來數年供應增幅仍可能落後需求。與此同時,HBM所需晶圓產能為傳統DRAM約3至4倍,令DRAM市場至2028年仍有望維持供不應求,惟記憶體平均售價升幅料逐步放緩。

 

  NAND方面,企業級SSD需求強勁,AI推理及AI代理應用亦有望推動儲存需求;供應商則傾向將產能投向利潤較高的DRAM及HBM,令NAND價格具韌性。

 

  里昂預計,全球記憶體業收入2027年增長42%至1.3萬億美元,2028年再升14%至1.5萬億美元,高於2026年的9270億美元。最新市場走勢亦顯示,雖然記憶體股短線受壓,但分析普遍認為AI需求及供應緊張格局尚未逆轉。(kk)

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