25,001.24
+439.00
(+1.79%)
25,024
+554
(+2.26%)
高水23
8,343.31
+206.58
(+2.54%)
4,723.16
+99.99
(+2.16%)
1,974.60億
3,766.46
+2.31
(+0.061%)
4,559.32
+30.22
(+0.667%)
13,525.83
-181.05
(-1.321%)
2,735.25
+44.38
(+1.65%)
64,221.9900
-500.5600
(-0.773%)
Hess Midstream LP
  • 40.340
  • +0.240
  • (+0.599%)
  • 最高
  • 40.630
  • 最低
  • 40.070
  • 成交股數
  • 93.39萬
  • 成交金額
  • 1.59千萬
  • 前收市
  • 40.100
  • 開市
  • 40.570
  • 盤後
  • 40.390
  • 0.050
  • (+0.124%)
  • 最高
  • 40.650
  • 最低
  • 40.000
  • 成交股數
  • 23.98萬
  • 成交金額
  • 87.85萬
  • 買入
  • 36.580
  • 賣出
  • 44.120
  • 市值
  • 51.47億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 8253
  • 每宗成交金額
  • 1,922
  • 波幅
  • 4.154%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 13.88/13.02
  • 周息率/預期
  • 7.57%/7.72%
  • 10日股價變動
  • 5.657%
  • 風險率
  • 2.835
  • 振幅率
  • 2.296%
  • 啤打系數
  • 0.331

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 17/07/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

09/07/2026 22:29

美股動向 | 美光斥1.5萬億日圓擴建廣島廠,瞄準AI記憶體2028年量產

  《經濟通通訊社9日專訊》受惠於日本廣島工廠擴建項目正式啟動的消息,美國記憶體大廠美光(US.MU)股價造好,上漲超過6%。

 

  為應對人工智能晶片需求激增帶來的供應缺口,美光斥資1.5萬億日圓擴建其廣島廠房。該擴建項目已於7月4日正式舉行動土儀式,未來將主力生產高頻寬記憶體及先進DRAM等新一代晶片。相關製造設備預計將於2028年下半年完成進駐與安裝,新產能最快於2028年夏季左右開始投產及出貨,屆時將進一步強化對英偉達(US.NVDA)等龍頭企業的供應能力。(kk)

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