25,471.15
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Hudbay Minerals
  • 26.400
  • -1.040
  • (-3.790%)
  • 最高
  • 27.140
  • 最低
  • 26.055
  • 成交股數
  • 2.63百萬
  • 成交金額
  • 2.60千萬
  • 前收市
  • 27.440
  • 開市
  • 26.600
  • 盤後
  • 26.410
  • 0.010
  • (+0.038%)
  • 最高
  • 26.410
  • 最低
  • 26.410
  • 成交股數
  • 20.91萬
  • 成交金額
  • 61.40萬
  • 買入
  • 26.150
  • 賣出
  • 26.580
  • 市值
  • 121.87億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 12338
  • 每宗成交金額
  • 2,108
  • 波幅
  • 10.057%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 16.86/11.24
  • 周息率/預期
  • 0.11%/0.11%
  • 10日股價變動
  • -4.346%
  • 風險率
  • 4.878
  • 振幅率
  • 2.644%
  • 啤打系數
  • 1.748

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 18/08/2026 16:01:30
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

20/07/2026 23:15

環球動態 | AI需求撐高DRAM價格,供應緊張料延至2028年第二季

  《經濟通通訊社20日專訊》人工智能熱潮持續推高DRAM市場需求,行業分析顯示高頻寬記憶體(HBM)產能擴張將持續擠壓傳統DRAM供應,市場供需平衡最快要到2028年第二季才能實現。

 

  據TrendForce預測,HBM晶圓投入量將於2026年底佔DRAM總產能22%,至2027年底更將攀升至30%。每片用於HBM生產的晶圓將直接減少傳統DDR5記憶體供應,導致整體DRAM供應量僅能滿足60%預期需求。

 

  主要製造商三星、SK海力士(US.SKHY)及美光(US.MU)雖已啟動擴產計劃,但新建晶圓廠需12至24個月才能達至峰值產能。瑞銀預測DRAM市場供需平衡將延至2028年第二季,美銀更估計SK海力士屆時實際產能僅達原計劃六分之一。

 

  摩根士丹利研究顯示,至2030年AI相關資本支出中約40%將用於記憶體採購。業界正加速轉向1c製程技術提升生產效率,三星與SK海力士合計投入800萬億韓圜(約5180億美元)興建四座新廠,美光亦在愛達荷州及紐約州擴產,新產能預計2027至2028年間陸續釋放。

 

  目前三大DRAM製造商市佔率分別為三星38%、SK海力士29%及美光22%,近期業績增長主要受惠AI需求。行業資本支出預計將從2025年537億美元增至2026年613億美元,但主要集中於HBM技術升級。

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