24,882.64
+131.86
(+0.53%)
24,879
+143
(+0.58%)
低水4
8,282.86
+57.46
(+0.70%)
4,390.86
-14.64
(-0.33%)
1,252.85億
3,932.45
+20.58
(+0.526%)
4,518.67
+11.28
(+0.250%)
13,670.12
+29.25
(+0.214%)
2,650.41
+1.65
(+0.06%)
81,756.0000
+577.9900
(0.712%)
均富融資
  • 1.030
  • -0.010
  • (-0.962%)
  • 最高
  • 1.220
  • 最低
  • 1.030
  • 成交股數
  • 1.18萬
  • 成交金額
  • 6,747.71
  • 前收市
  • 1.040
  • 開市
  • 1.050
  • 盤後
  • 1.100
  • 0.070
  • (+6.796%)
  • 最高
  • 1.250
  • 最低
  • 1.020
  • 成交股數
  • 6,160.00
  • 成交金額
  • 5,626.98
  • 買入
  • 1.020
  • 賣出
  • 1.950
  • 市值
  • 2.62千萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 81
  • 每宗成交金額
  • 83
  • 波幅
  • 101.705%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/0.00
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -13.445%
  • 風險率
  • 1.068
  • 振幅率
  • 5.943%
  • 啤打系數
  • --

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 18/09/2026 19:59:47
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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