26,038.32

+640.14

(+2.52%)

25,853

-95

(-0.37%)

低水185

8,762.97

+255.10

(+3.00%)

5,199.28

+234.36

(+4.72%)

3,737.80億

4,075.10

+17.36

(+0.428%)

4,914.56

+70.30

(+1.451%)

15,591.13

+250.77

(+1.635%)

2,907.49

+75.18

(+2.65%)

67,464.0000

-3,944.9000

(-5.524%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1613

澳元最佳客戶買入價

5.6363

歐元最佳客戶買入價

9.1403

英鎊最佳客戶買入價

10.5731

日圓最佳客戶買入價

4.9160

／

／

GrafTech International Ltd

11.150
+1.010
(+9.961%)

最高
11.275

最低
10.010

成交股數
23.56萬

成交金額
1.11百萬

前收市
10.140

開市
10.150

盤後

11.280
0.130
(+1.166%)

最高
11.280

最低
11.150

成交股數
1.94萬

成交金額
2.49萬

買入
9.380

賣出
13.930

市值
2.64億

貨幣
USD

交易宗數
2350

每宗成交金額
472

波幅
10.628%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/-2.36

周息率/預期
0.10%/--

10日股價變動
22.527%

風險率
5.847

振幅率
10.421%

啤打系數
1.806

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 02/06/2026 16:36:30
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)