24,853.26
+102.48
(+0.41%)
24,850
+114
(+0.46%)
低水3
8,271.63
+46.23
(+0.56%)
4,381.02
-24.48
(-0.56%)
1,237.29億
3,930.49
+18.62
(+0.476%)
4,515.89
+8.50
(+0.189%)
13,658.20
+17.33
(+0.127%)
2,648.29
-0.47
(-0.02%)
81,666.6400
+488.6300
(0.602%)
多尼戈爾股份-B
  • 21.050
  • +0.150
  • (+0.718%)
  • 最高
  • 21.500
  • 最低
  • 20.730
  • 成交股數
  • 1.06萬
  • 成交金額
  • 36.89萬
  • 前收市
  • 20.900
  • 開市
  • 20.760
  • 盤後
  • 21.050
  • 0.000
  • (0.000%)
  • 最高
  • 21.050
  • 最低
  • 21.050
  • 成交股數
  • 5.00
  • 成交金額
  • 114.03
  • 買入
  • 9.030
  • 賣出
  • 33.950
  • 市值
  • 7.76億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 249
  • 每宗成交金額
  • 1,482
  • 波幅
  • 133.688%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 10.89/14.93
  • 周息率/預期
  • 3.25%/3.10%
  • 10日股價變動
  • -14.949%
  • 風險率
  • 3.104
  • 振幅率
  • 9.480%
  • 啤打系數
  • -0.352

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 18/09/2026 19:59:47
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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