24,779.52
-174.95
(-0.70%)
24,777
-123
(-0.49%)
低水3
8,245.99
-28.79
(-0.35%)
4,306.05
-24.44
(-0.56%)
1,217.92億
3,864.92
-69.48
(-1.766%)
4,481.64
-66.75
(-1.468%)
13,334.76
-282.91
(-2.078%)
2,650.63
-41.57
(-1.54%)
77,107.1300
+538.4000
(0.703%)
BrilliA Inc
  • 1.500
  • +0.100
  • (+7.143%)
  • 最高
  • 1.500
  • 最低
  • 1.360
  • 成交股數
  • 4,536.00
  • 成交金額
  • 2,647.46
  • 前收市
  • 1.400
  • 開市
  • 1.360
  • 盤後
  • 1.420
  • -0.080
  • (-5.333%)
  • 最高
  • 1.500
  • 最低
  • 1.420
  • 成交股數
  • 1,684.00
  • 成交金額
  • 2,002.27
  • 買入
  • 1.120
  • 賣出
  • 1.560
  • 市值
  • 3.50千萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 11
  • 每宗成交金額
  • 241
  • 波幅
  • 16.929%
  • 交易所
  • NYSE-M
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 16.46/8.75
  • 周息率/預期
  • 9.50%/35.95%
  • 10日股價變動
  • 7.143%
  • 風險率
  • 0.267
  • 振幅率
  • 20.000%
  • 啤打系數
  • --

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/09/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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