25,278.38

-354.83

(-1.38%)

25,168

-323

(-1.27%)

低水110

8,506.11

-90.48

(-1.05%)

4,980.33

-76.64

(-1.52%)

2,450.25億

4,057.78

-26.19

(-0.641%)

4,904.75

-34.06

(-0.690%)

15,661.57

-43.14

(-0.275%)

2,887.66

-37.42

(-1.28%)

63,963.9900

-178.7600

(-0.279%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1587

澳元最佳客戶買入價

5.6002

歐元最佳客戶買入價

9.1187

英鎊最佳客戶買入價

10.5417

日圓最佳客戶買入價

4.9137

／

／

Abundia Global Impact Group Inc.

1.130
-0.040
(-3.419%)

最高
1.200

最低
1.130

成交股數
8.87萬

成交金額
7.03萬

前收市
1.170

開市
1.170

盤後

1.150
0.020
(+1.770%)

最高
1.150

最低
1.130

成交股數
687.00

成交金額
776.99

買入
1.030

賣出
1.260

市值
5.15千萬

貨幣
USD

交易宗數
2880

每宗成交金額
24

波幅
8.885%

交易所
NYSE-M

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/-6.88

周息率/預期
--/--

10日股價變動
-5.042%

風險率
3.773

振幅率
5.120%

啤打系數
1.294

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 03/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)