24,954.47
-320.49
(-1.27%)
24,701
-199
(-0.80%)
低水253
8,274.78
-94.27
(-1.13%)
4,330.49
-90.30
(-2.04%)
1,988.65億
3,934.40
-17.11
(-0.433%)
4,548.39
-24.21
(-0.529%)
13,617.67
-105.65
(-0.770%)
2,692.20
-10.71
(-0.40%)
76,750.1800
-1,556.2500
(-1.987%)
卓遠
  • 2.670
  • -0.430
  • (-13.871%)
  • 最高
  • 2.900
  • 最低
  • 2.602
  • 成交股數
  • 10.83萬
  • 成交金額
  • 13.22萬
  • 前收市
  • 3.100
  • 開市
  • 2.740
  • 盤後
  • 2.682
  • 0.012
  • (+0.438%)
  • 最高
  • 2.870
  • 最低
  • 2.660
  • 成交股數
  • 6,082.00
  • 成交金額
  • 1.30萬
  • 買入
  • 2.670
  • 賣出
  • 2.950
  • 市值
  • 4.32千萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 593
  • 每宗成交金額
  • 223
  • 波幅
  • 20.182%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 77.26/--
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -8.718%
  • 風險率
  • 0.956
  • 振幅率
  • 27.264%
  • 啤打系數
  • --

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/09/2026 19:26:00
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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